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Samsung MZ-V9P1T0, SAMSUNG MZ-V9P1T0GW (BILD1)
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Datenblatt: 136801

PDF Datenblatt
Samsung MZ-V9P1T0, SAMSUNG MZ-V9P1T0GW (BILD2)
Samsung MZ-V9P1T0, SAMSUNG MZ-V9P1T0GW (BILD3)
Samsung MZ-V9P1T0, SAMSUNG MZ-V9P1T0GW (BILD5)
Samsung MZ-V9P1T0, SAMSUNG MZ-V9P1T0GW (BILD6)

Samsung MZ-V9P1T0

Beschreibung: (Nr.:MZ-V9P1T0GW | SAMSUNG Festplatten-Interne Festplatten):

Merkmale
NVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD Speicherkapazität: 1 TB
SSD-Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Eigenschaft: NVMe
Speichertyp: V-NAND MLC
Komponente für: PC
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB): 1200000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS
Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Energie
Arbeitsspannung: 3.3 V
Stromverbrauch (max.): 7.8 W
Stromverbrauch (durchschnittl.): 5.4 W
Gewicht und Abmessungen
Breite: 80 mm
Tiefe: 8.2 mm
Höhe: 24.3 mm
Gewicht: 28 g
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Bestellnummer: CAPLWL-247902
Hersteller: SAMSUNG
Hersteller-Nr: MZ-V9P1T0GW
Shop Kategorie: Festplatten
Lagerbestand:
EAN / GTIN: 8806094594645

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